近30多年來(lái),隨著社會(huì)經(jīng)濟(jì)發(fā)展,人類物質(zhì)文明的發(fā)達(dá),高層大氣中的臭氧濃度一直在不斷地急劇下降。尤其是在南極上空臭氧層出現(xiàn)了一個(gè)空洞后,平流層中的臭氧被破壞成為了人類所關(guān)注的環(huán)境問(wèn)題之一。大氣層中臭氧的90%存在于平...[繼續(xù)閱讀]
海量資源,盡在掌握
近30多年來(lái),隨著社會(huì)經(jīng)濟(jì)發(fā)展,人類物質(zhì)文明的發(fā)達(dá),高層大氣中的臭氧濃度一直在不斷地急劇下降。尤其是在南極上空臭氧層出現(xiàn)了一個(gè)空洞后,平流層中的臭氧被破壞成為了人類所關(guān)注的環(huán)境問(wèn)題之一。大氣層中臭氧的90%存在于平...[繼續(xù)閱讀]
目前國(guó)內(nèi)外有關(guān)UV-B輻射增強(qiáng)與植物關(guān)系的研究方法,可大致分為自然UV-B輻射條件下野外調(diào)查研究方法和人工UV-B輻射脅迫模擬研究方法。(一)自然UV-B輻射條件下野外調(diào)查研究方法太陽(yáng)UV-B輻射隨緯度、海拔、季節(jié)和晝夜發(fā)生明顯變化...[繼續(xù)閱讀]
紫外輻射對(duì)植物影響的報(bào)道,可以追溯到20世紀(jì)30年代,直至20世紀(jì)60年代。世界各地在紫外輻射對(duì)植物的影響研究方面,主要涉及紫外輻射對(duì)植物生長(zhǎng)發(fā)育、種子萌發(fā)的影響,紫外輻射在農(nóng)業(yè)的應(yīng)用,以及紫外輻射損傷的光復(fù)活作用和某些...[繼續(xù)閱讀]
(一)UV-B輻射增強(qiáng)對(duì)水稻葉片葉綠素含量的影響從表2-1可以看出,兩個(gè)供試品種經(jīng)過(guò)UV-B輻射處理,水稻葉片Chla、Chlb均有不同程度的降低。其中,Chla處理與對(duì)照的差異在處理期間均達(dá)顯著水平(p<0.05)*,且Chla/Chlb比值小于對(duì)照,表明UV-B輻射...[繼續(xù)閱讀]
(一)不同硅營(yíng)養(yǎng)條件下UV-B輻射增強(qiáng)對(duì)水稻形態(tài)特性的影響植物形態(tài)特征的變化是外界環(huán)境對(duì)植物影響的最明顯表現(xiàn)。不同處理對(duì)水稻苗期生長(zhǎng)形態(tài)特征的影響見(jiàn)表2-6。與對(duì)照比,缺硅(T1)和UV-B輻射(T2)對(duì)兩個(gè)供試水稻品種的株高、葉長(zhǎng)...[繼續(xù)閱讀]
我們的研究選取了508對(duì)SSR引物對(duì)水稻的12對(duì)染色體進(jìn)行多態(tài)性分析,篩選出109個(gè)條帶清晰、雜帶較少的引物用來(lái)構(gòu)建遺傳圖譜,再用109對(duì)引物對(duì)該群體的123個(gè)家系檢測(cè)多態(tài)性。根據(jù)膠片檢測(cè)到各家系在每個(gè)分子標(biāo)記區(qū)段上的帶型,記錄數(shù)...[繼續(xù)閱讀]
(一)水稻抗UV-B輻射的性狀表現(xiàn)本實(shí)驗(yàn)共考察了2005年UV-B輻射增強(qiáng)條件下水稻根長(zhǎng)、株高、地下部干物質(zhì)重和地上部干物質(zhì)重,2006年UV-B輻射增強(qiáng)條件下水稻葉綠素、根長(zhǎng)、株高、地下部干物質(zhì)重以及地上部干物質(zhì)重,這些性狀雙親及其...[繼續(xù)閱讀]
(一)水稻抗UV-B輻射的加性QTL與環(huán)境的互作效應(yīng)根據(jù)Lemont/Dular的RIL群體分子標(biāo)記聯(lián)鎖圖,借助QTLMapper1.0,應(yīng)用混合線性模型的QTL定位方法,聯(lián)合該群體兩年的株高相差、根長(zhǎng)相差、地下部干物質(zhì)重相差和地上部干物質(zhì)重相差,做QTL與環(huán)境的...[繼續(xù)閱讀]
(一)硅素營(yíng)養(yǎng)對(duì)水稻植株生長(zhǎng)的影響硅能夠提高多種作物(如水稻、燕麥、大麥、小麥、黃瓜、甘蔗等)抵抗生物和非生物脅迫的能力。水稻是典型的喜硅植物,硅是水稻生命活動(dòng)中需要大量吸收的重要元素,水稻中硅積累約為氮的108%。...[繼續(xù)閱讀]
應(yīng)用半定量RT-PCR分析正常生長(zhǎng)條件下UV-B輻射抗性水稻品種Lemont和敏感水稻品種Dular根系Lsi1基因的表達(dá)豐度,結(jié)果發(fā)現(xiàn)Lemont根系的Lsi1基因表達(dá)量較Dular高(圖2-9)。進(jìn)一步測(cè)定Lemont與Dular根系的硅吸收量及葉片硅含量,結(jié)果也表明UV-B輻射抗...[繼續(xù)閱讀]