VI族元素修飾對二維AlN電子性質影響的第一性原理研究

摘要： 采用密度泛函理論的第一性原理計算方法，研究了VI族元素(O、S、Se、Te)修飾對二維AlN電子性質的影響。計算結果表明，O修飾后，二維AlN體系的能帶發(fā)生劈裂，從而轉變?yōu)榇判圆牧?；S、Se和Te修飾后，二維AlN電子態(tài)密度曲線自旋向上和自旋向下完全對稱，形成了非磁性結構。從態(tài)密度圖可以看出，費米能級附近的態(tài)密度主要由修飾原子的p態(tài)電子和N原子的p態(tài)電子貢獻，導帶底部逐漸向低能... （共9頁）