垂直腔面發(fā)射半導體激光器氧化優(yōu)化研究

摘要： GaAs基垂直腔面發(fā)射激光器在干法刻蝕過程中，臺面?zhèn)缺谛纬傻娜毕輹е缕骷霈F(xiàn)層結構分層、斷裂以及氧化孔不規(guī)則等問題。針對該問題，提出了一種干法刻蝕與硫化銨鈍化相結合的氧化前預處理方案，研究了硫化銨鈍化處理對器件層結構以及氧化工藝穩(wěn)定性的影響。掃描電子顯微鏡測試結果表明：器件側壁層結構的分層現(xiàn)象減少，器件結構穩(wěn)定性更好；高Al層的氧化速率更穩(wěn)定，氧化孔形狀更為規(guī)則。將該工藝方案... （共7頁）