最后再提一下陷阱效應。各種復合中心都存在一定的陷存非平衡載流子的可能性,被陷載流子并不按間接復合途徑完成復合,而是要靠熱激活躍遷到導帶(電子)或價帶(空穴),之后再按可行機制完成復合,一般情況下這種陷存對前述間接復...[繼續(xù)閱讀]

    考慮一個如圖3.9所示的p-n結(jié),假定體系在各個方向的尺度都可以看作無窮大,分析中不涉及表面局限?，F(xiàn)設(shè)想該p-n結(jié)瞬間形成之后初期將發(fā)生的微觀過程和導致的結(jié)果,可歸納為三個要點:1)擴散n型區(qū)電子濃度較p型區(qū)高,電子會由n型區(qū)向...[繼續(xù)閱讀]

    給一個自身已具有電壓V0的器件外加一個電壓V1,其結(jié)果很簡單,如兩者方向一致,器件上的電壓就由V0增加為V0+V1,如兩者方向相反,器件上的電壓就由V0減小為V0-V1。外加直流電壓到p-n結(jié)兩端時(習慣稱偏置電壓),由于p-n結(jié)空間電荷區(qū)載流子...[繼續(xù)閱讀]

    光是一種電磁波,它在固體中如在空氣中一樣也發(fā)生傳播,相關(guān)的電磁場強度服從麥克斯韋方程。求解該方程,可同時解出材料的折射率n和吸收系數(shù)α。兩者都與材料介電常數(shù)和電導率有關(guān)。一種材料的n,α的含義可分別由以下兩式體現(xiàn)...[繼續(xù)閱讀]

    在半導體中最主要的光的吸收機制就是我們前面已經(jīng)述及的光照條件下非平衡載流子激發(fā),或非平衡載流子光注入,這一小節(jié)專門介紹具體的激發(fā)(吸收)條件,吸收系數(shù)與入射光波長的定量關(guān)系等。注意半導體在光照下的非平衡載流子的...[繼續(xù)閱讀]

    本章力求以通俗易懂的方式簡要而完整地介紹了光伏技術(shù)所涉及的半導體物理基礎(chǔ)。相對于一般半導體物理教材,其中省略的內(nèi)容主要為三類:①與光伏技術(shù)無關(guān)的部分;②數(shù)學推導過程;③固體物理基礎(chǔ)知識。然而對一些重要的、較難...[繼續(xù)閱讀]

    [1]　劉恩科,朱秉升,羅晉生.半導體物理學(第6版)[M].北京:電子工業(yè)出版社,2003.[2]　施敏(S.M.Sze),伍國玨(KwokK.NG).半導體器件物理(第3版)[M].耿莉,張瑞智,譯.西安:西安交通大學出版社,2008.[3]　GREENMA.SolarCells—OperatingPrinciples,TechnologyandSys...[繼續(xù)閱讀]

    光伏發(fā)電可以說是半導體太陽電池發(fā)電的同義語;光伏電池與半導體太陽電池含義也相同,一般稱太陽電池,這里加上“半導體”是為了將有機物太陽電池與染料敏化太陽電池排除在外。這兩類電池迄今還基本未走出實驗室。事實上半...[繼續(xù)閱讀]

    一片實用的普通太陽電池是一張156×156mm2、約0.18mm厚的方形薄片,薄片材料是硅晶體,其朝光一面有密布細金屬柵線和兩道或三道橫跨連接這些細柵線的供輸出接觸的粗柵線,背面則完全覆蓋金屬。這是我們?nèi)庋鬯芸吹降娜繕?gòu)造。圖...[繼續(xù)閱讀]

    第3章中我們介紹過半導體p-n結(jié),到講完它的“暗I-V特性”結(jié)束。當時離它的光照下發(fā)電原理已經(jīng)很近了?，F(xiàn)在我們還是緊緊依托這個基礎(chǔ)來講清它。仍以硅片太陽電池為例。暗條件下,半導體p-n結(jié)雖有內(nèi)建電場卻不會輸出電流,也不會...[繼續(xù)閱讀]