
 熱平衡條件下,n型半導體中的電子濃度n0應為單位體積中施主提供的電子和熱激發(fā)電子數(shù)之和。就半導體光伏技術(shù)所涉及的溫度與摻雜條件而言,前者完全可看作等于施主的體積濃度ND,后者由激發(fā)時電子與空穴必成對這一點可知應等于 (共 662 字) [閱讀本文] >>
海量資源,盡在掌握
 熱平衡條件下,n型半導體中的電子濃度n0應為單位體積中施主提供的電子和熱激發(fā)電子數(shù)之和。就半導體光伏技術(shù)所涉及的溫度與摻雜條件而言,前者完全可看作等于施主的體積濃度ND,后者由激發(fā)時電子與空穴必成對這一點可知應等于 (共 662 字) [閱讀本文] >>