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 因?yàn)榫w硅是間接帶隙半導(dǎo)體,需要一定的陷光結(jié)構(gòu),才能提高異質(zhì)襯底晶體硅薄膜太陽能電池的轉(zhuǎn)換效率。如果不增加光程長,就不能體現(xiàn)晶體硅薄膜的優(yōu)勢,即低材料質(zhì)量要求情況下的高開路電壓Voc潛力。事實(shí)上,運(yùn)用低溫工藝實(shí)現(xiàn)商 (共 1212 字) [閱讀本文] >>
海量資源,盡在掌握
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